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集成电路/BT151
商品型号:BT151

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品牌:NXP(恩智浦)
封装:-
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  • 商品名称:BT151
  • 商品品牌:NXP(恩智浦)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    BT151

  • 封装规格:-
  • 商品编号:NXP183101616
  • 商品重量:0.000100kg
BT151中文资料
BT151中文资料第2页精选内容: 1; 3半导体产品规格晶闸管 BT151系列C一般描述快速参考数据在塑料钝化晶闸管符号参数 MAX. MAX. MAX.单元信封,打算用于应用要求高 BT151- 500C 650C 800C双向闭塞电压 V DRM ,重复峰值关闭状态 500 650 800 V能力和高热循环 V RRM电压性能.典型应用一世 T(AV)平均通态电流 7.5 7.5 7.5一个包括电机控制,工业一世 T(RMS) RMS通态电流 12 12 12一个和家庭照明,取暖和一世 TSM非重复的峰值通态 100 100 100一个静态切换.当前钉扎 - TO220AB引脚配置符号销描述 1阴极 2阳极 3门标签阳极限制值根据绝对最大系统(IEC 60134)限制数值.个符号参数条件 MIN. MAX.单元大号 -50℃ -650C -80℃ V DRM ,重复峰值 - 500 1 650 1 800 V V RRM断态电压一世 T(AV)平均开放状态半正弦波; ? MB ≤109?C - 7.5一个当前一世 T(RMS) RMS通态电流所有传导角度 - 12一个一世 TSM非重复峰值半正弦波; ? J = 25?C通态电流之前激增 T = 10毫秒 - 100一个 T = 8.3MS - 110一个一世 2 TI 2 T用于定影 T = 10毫秒 - 50一个 2 秒的DI T / DT I的重复上升率 TM = 20A; I G = 50 MA; - 50一个/微秒通态电流后的DI G / DT = 50MA /微秒触发一世 GM峰值门电流 - 2一个 V GM峰值栅极电压 - 五 V V RGM高峰反向门 - 五 V电压 P GM高峰门功率 - 五 W ^ P G(AV)平均门功率在任何20毫秒期间 - 0.5 W ^ ? STG储存温度 -40 150 C ? ?经营路口 - 125 C温度 AK G 12 3标签 1尽管不推荐使用800V以下的断态电压,但晶闸管可能会损坏切换到开启状态.电流上升的速度不应超过15 A /微秒. 2004年4月 1 1.000版本
BT151关联型号
机译版中文资料(1/8) 英文原版数据手册(1/8)

*BT151中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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