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NZT753 NZT753
NZT753中文资料第1页精选内容: ?2003仙童半导体公司 REV. A,2003年4月 绝对最大额定值* T 除非另有说明,否则 A = 25°C *这些额定值是限制值,高于此值可能会损害任何半导体器件的适用性.笔记: 1)这些额定值是基于最高结温150 C. 2)这些是稳态限制.应该对涉及脉�...
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NZT6727 NZT6727
NZT6727中文资料第1页精选内容: ?2003仙童半导体公司 REV. A,2003年12月 绝对最大额定值* T 除非另有说明, A = 25°C *这些额定值是限制任何半导体器件可用性可能会受到影响的值.笔记: 1.这些额定值基于最高结温150摄氏度. 2.这些是稳定状态的限制.应该对涉及脉冲�...
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NZT45H8 NZT45H8
NZT45H8中文资料第2页精选内容:电气特性除非另有说明,否则TA = 25°C关闭特性符号参数测试条件敏马克斯单位 V (BR)首席执行官集电极 - 发射极击穿电压 I C = 100 MA,I B = 0 60 V 我是 CBO集电极截止电流 V CB = 60V,I E = 0 10 μA 我是 EBO发射极截止电流 V EB = 5.0V,I C = 0 100 μA特征小信号特征 H FE直流电流增益...
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微信彩票群二维码大全NM27C512QE90 NM27C512QE90
NM27C512QE90中文资料第8页精选内容: 8 WWW.FAIRCHILDSEMI.COM功能描述(续)在V举行 IL . 地址引脚A0保存在 制造商的 V IL处 代码,并在V IH中 保存设备代码. 代码被读取八个数据引脚,O0 -O 7.正确的代码访问只能保证在25 °C±5°C.消除特征该设备的擦除特性是擦除的当暴露于波长较短的光线时开始出现大约4000埃(
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NM27C256Q120 NM27C256Q120
NM27C256Q120中文资料第5页精选内容:五 WWW.FAIRCHILDSEMI.COM 编程特性 (注12)(注13)(注14)(注15)(续)符号参数条件敏典型马克斯单位 T AS地址建立时间 1微秒 OES OE安装时间 1微秒 ? VPS V PP 安装时间 1微秒 T VCS V CC 建立时间 1微秒 T DS数据建立时间 1微秒 T AH地址保持时间 0微秒 卫生署数据保持时间 1微...
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NM24C16UEM8 NM24C16UEM8
NM24C16UEM8中文资料第7页精选内容: 7 WWW.FAIRCHILDSEMI.COM NM24C16U / 17U版本B.1设备操作背景信息(IIC总线)如上所述,IIC总线允许同步双向COM-发送器/接收器之间的通信使用SCL(时钟)和SDA(数据I / O)线.所有的沟通必须以开始一个有效的START条件,以STOP条件结束由RECEIVER以ACKNOWLEDGE CONDI-灰.如下所示,可以�...
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NM24C05LN NM24C05LN
NM24C05LN中文资料第1页精选内容: 1 WWW.FAIRCHILDSEMI.COM NM24C04 / 05 REV. G 2000年2月 ?1998仙童半导体公司 NM24C04 / 05 - 4K位标准2线总线接口串行EEPROM一般描述 NM24C04 / 05器件是4096位CMOS非易失性器件电可擦除存储器.这些设备符合所有规格 - 采用标准IIC双线协议的设计和设�...
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NM24C02VM8 NM24C02VM8
NM24C02VM8中文资料第11页精选内容: 11 WWW.FAIRCHILDSEMI.COM NM24C02 / 03 REV. G写操作 BYTE WRITE对于写入操作,需要第二个地址字段一个由8位组成的字地址并提供访问权限到选定内存页面中的任何一个256字节.上 NM24C02 / 03收到的字节地址用再次确认并等待接下来的八位数据,回应与承认.主人然后终止通过生成停�...
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NM24C02N NM24C02N
NM24C02N中文资料第11页精选内容: 11 WWW.FAIRCHILDSEMI.COM NM24C02 / 03 REV. G写操作 BYTE WRITE对于写入操作,需要第二个地址字段一个由8位组成的字地址并提供访问权限到选定内存页面中的任何一个256字节.上 NM24C02 / 03收到的字节地址用再次确认并等待接下来的八位数据,回应与承认.主人然后终止通过生成停止...
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NDS9955 NDS9955
1998年5月 NDS9955双N沟道增强型场效应晶体管一般描述特征绝对最大额定值 ? A = 25 O C除非另有说明符号参数 NDS9955单位 V DSS漏源电压 50 V V GSS门源电压 ±20 V一世 D漏极电流 - 连续 (注1A) 3一个 - 脉冲 10 P D双操作功耗 2 W ^单次操作功耗 (注1A) 1.6 (注1B) 1 (注1C) 0.9 ? J ,T STG工作和存储温度范围 -55�...
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